IXFN520N075T2

IXFN520N075T2. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: SOT-227B (ISOTOP). Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: GigaMOS. Tensione drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 480A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0019 Ohms @ 480A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 48 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 80 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 41000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 940W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.