Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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KSC1845-F

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KSC1845-F. Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 600. Guadagno hFE minimo: 300. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: 2SC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 3L (AMMO). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA992. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 580. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: KSC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 110 MHz. Funzione: Amplificatore audio HI-FI. Guadagno hFE massimo: 580. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 50mA. Marcatura sulla cassa: C1845. Equivalenti: KSC1845. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.07V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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