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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V - 2SC2705

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V - 2SC2705
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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V - 2SC2705. Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.8pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Ic(impulso): 800mA. Nota: 9mm. Marcatura sulla cassa: C2705. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1145. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 26/07/2025, 12:25.

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Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) BF423. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
BF422
Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Corrente del collettore: 50mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 100mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) BF423. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V
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