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2SC2705

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2SC2705. Costo): 1.8pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 800mA. Marcatura sulla cassa: C2705. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Tipo epitassiale (processo PCT)". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Nota: 9mm. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1145. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) BF423. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BF422
Costo): 1.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 60 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE minimo: 50. Corrente del collettore: 50mA. Ic(impulso): 100mA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.6V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) BF423. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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