Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

2SC2911

2SC2911
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2SC2911. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 0.14A. Ic(impulso): 0.2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1209. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: TV-NF/E. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 10W. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 180V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1249. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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LM317HVT

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