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2SA965. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Processo PCT. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 0.8A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: A1013. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2383. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 1A. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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