KSC2073TU
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.97€ | 2.40€ |
| 5 - 9 | 1.87€ | 2.28€ |
| 10 - 24 | 1.77€ | 2.16€ |
| 25 - 49 | 1.67€ | 2.04€ |
| 50 - 81 | 1.63€ | 1.99€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 1.97€ | 2.40€ |
| 5 - 9 | 1.87€ | 2.28€ |
| 10 - 24 | 1.77€ | 2.16€ |
| 25 - 49 | 1.67€ | 2.04€ |
| 50 - 81 | 1.63€ | 1.99€ |
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KSC2073TU. Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.
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Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Usci...
Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Costo): 50pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Uscita di deflessione verticale TV. Guadagno hFE massimo: 125. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC2073
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di pot...
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Corrente del collettore: 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA940. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. ...
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