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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V - 2SA940. Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: TV-HA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2073. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 19:25.

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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 55pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSC2073. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Costo): 55pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: TV-HA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSC2073. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor PNP. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1138. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor PNP. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1138. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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