2SB861

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	0.86€	1.05€
5 - 9	0.82€	1.00€
10 - 24	0.78€	0.95€
25 - 49	0.73€	0.89€
50 - 99	0.72€	0.88€
100 - 249	0.70€	0.85€
250 - 601	0.66€	0.81€

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Set da 1

2SB861. Resistenza B: 10. Resistenza BE: 47. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor PNP. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD1138. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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