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KSC1009Y

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KSC1009Y. Costo): 2.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 0.7A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.

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Costo): 20pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massi...
2SC2383
Costo): 20pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: C2383 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1013. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
2SC2383
Costo): 20pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 20 MHz. Funzione: CTV-NF/VA. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 160. Corrente del collettore: 1A. Marcatura sulla cassa: C2383 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SA1013. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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