KTB778

KTB778. Costo): 280pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: Amplificatore audio ad alta potenza. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 55. Corrente del collettore: 10A. Marcatura sulla cassa: B778. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P ( H ) IS. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) KTD998. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.