Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 4 | 3.27€ | 3.99€ |
5 - 8 | 3.11€ | 3.79€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 4 | 3.27€ | 3.99€ |
5 - 8 | 3.11€ | 3.79€ |
MDF9N60TH. C(in): 1160pF. Costo): 134pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 360ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: MDF9N60. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 48 ns. Td(acceso): 31 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.
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