Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF11N60TH

Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF11N60TH
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Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V - MDF11N60TH. Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 430 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore Magnachip Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.

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MDF11N60TH

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Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T...
MDF11N60TH
Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 430 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V
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Transistor a canale N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1700pF. Costo): 184pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Diodo Trr (min.): 430 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49W. RoHS: sì. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 76 ns. Td(acceso): 38 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V
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