MDF11N65B

MDF11N65B. C(in): 1650pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 355 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 49.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.45 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 132 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: SMPS, commutazione ad alta velocità. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.