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MJ15015-ONS

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2 - 2 12.91€ 15.75€
3 - 4 12.23€ 14.92€
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MJ15015-ONS. Resistenza BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 6us. Tf(min): 4us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15016. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 05:25.

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MJ15015

MJ15015

Resistenza BE: 70. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrent...
MJ15015
Resistenza BE: 70. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: Motorola. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MJ15015
Resistenza BE: 70. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: Motorola. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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