MJ15015
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.58€ | 4.37€ |
| 5 - 6 | 3.40€ | 4.15€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.58€ | 4.37€ |
| 5 - 6 | 3.40€ | 4.15€ |
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
MJ15015. Resistenza BE: 70. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Corrente del collettore: 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Spec info: Motorola. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 09:25.
Prodotti equivalenti :
MJ15015-ONS
Resistenza BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore...
Resistenza BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 6us. Tf(min): 4us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15016. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Resistenza BE: 70. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 15A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 6us. Tf(min): 4us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJ15016. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Consigliamo inoltre :
MJ15016-ONS
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 0.8 MHz. Guadagno hFE massimo: 70. ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2SA1370
C(in): 1.7pF. Costo): 2.6pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MH...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MOR1WS-100K
Resistenza: 100k Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: strato metallico. Stabilità della temperatur...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJE720
Costo): 1000pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1-5KE120A
Dissipazione massima (impulso) Pp [W] @ t[msec.]: 1500W @ 1ms. Campo di temperatura di funzionamento...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1N5364B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Configurazione: montaggio a foro pas...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BS107
C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1N5388B
RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Custodia (standard JEDEC): 5W. Confi...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
MJ11015G
RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza Darlington PNP. Alloggiamento: saldatura PC...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
PP-1920
Materiale: FR2. Foglio di plastica: lato singolo, 3 cuscinetti di saldatura, spessore rame 35um. Pas...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informazioni e aiuto tecnico
Pagamento e consegna
Consegna in 2-3 giorni, con tracciabilità postale!
Tutti i diritti riservati, RPtronics, 2024.