Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107

Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107
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25 - 49 0.86€ 1.05€
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Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107. Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 2A. Marcatura sulla cassa: BS107. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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BS107ARL1G

BS107ARL1G

Transistor a canale N, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 250mA. Idss (massimo...
BS107ARL1G
Transistor a canale N, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 250mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 6.4 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 60pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 500mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V
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Transistor a canale N, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 250mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 6.4 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 60pF. Costo): 30pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 500mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V
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Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo)...
BS107
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BS107
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MOR1WS-100K

MOR1WS-100K

Resistenza, 100k Ohms, 1W. Resistenza: 100k Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: strato metallico. ...
MOR1WS-100K
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MOR1WS-100K
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1-5KE120A

1-5KE120A

RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: Soppressore unidirezionale serie KE 1.5 (1500 W a 1 msec.). All...
1-5KE120A
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1-5KE120A
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1N5388B

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Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Tensione di rottura Zener Uz [V], nominale: 200...
1N5388B
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PP-1920

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Materiale: FR2. Foglio di plastica: lato singolo, 3 cuscinetti di saldatura, spessore rame 35um. Pas...
PP-1920
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PP-1920
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1N5380B

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Alloggiamento: DO-201. Pd (dissipazione di potenza, massima): 5W. Custodia (secondo scheda tecnica):...
1N5380B
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MOR1WS-1M

MOR1WS-1M

Resistenza, 1M Ohms, 1W. Resistenza: 1M Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: strato metallico. Nume...
MOR1WS-1M
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BZV85C75

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Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica)...
BZV85C75
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