Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.96€ | 1.17€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.11€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.86€ | 1.05€ |
50 - 99 | 0.84€ | 1.02€ |
100 - 162 | 0.76€ | 0.93€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.96€ | 1.17€ |
5 - 9 | 0.91€ | 1.11€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.07€ |
25 - 49 | 0.86€ | 1.05€ |
50 - 99 | 0.84€ | 1.02€ |
100 - 162 | 0.76€ | 0.93€ |
Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107. Transistor a canale N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 2A. Marcatura sulla cassa: BS107. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 17:25.
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