Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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BS107

BS107
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BS107. C(in): 85pF. Costo): 20pF. Tipo di canale: N. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 2A. ID (T=25°C): 120mA. Idss (massimo): 30nA. Marcatura sulla cassa: BS107. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Rds sulla resistenza attiva: 15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 16 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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BS107ARL1G

BS107ARL1G

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92...
BS107ARL1G
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS107A. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1
BS107ARL1G
RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BS107A. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 15 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 60pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 12 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: MOSFET (DS).. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1
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