MDF9N50TH

MDF9N50TH. C(in): 780pF. Costo): 100pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 272 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 28nC, Crss basso 24pF. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 9A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 38 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.