MJ10005

MJ10005. Costo): 2.5pF. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 400. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.6us. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 17:25.