Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V - KSD5703

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V - KSD5703
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V - KSD5703. Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Spec info: 0.1...0.3us. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.

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MD2310FX

MD2310FX

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 14A. Al...
MD2310FX
Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
MD2310FX
Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente del collettore: 14A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Ic(impulso): 21A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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FJAF6810

FJAF6810

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiam...
FJAF6810
Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Nota: serigrafato . Marcatura sulla cassa: J6810. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Nota: serigrafato . Marcatura sulla cassa: J6810. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiam...
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
FJAF6810A
Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: commutazione ad alta velocità. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V
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LA7845
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