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KSD5703

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25 - 44 2.74€ 3.34€
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KSD5703. Costo): 500pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 30A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.

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Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione...
MD2310FX
Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MD2310FX
Costo): 1.6pF. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 64kHz. Funzione: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data di produzione: 2014/17. Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 6. Corrente del collettore: 14A. Ic(impulso): 21A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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FJAF6810

FJAF6810

Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflession...
FJAF6810
Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato . Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato . Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
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FJAF6810A

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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del co...
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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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