Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

KSC5027-O

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KSC5027-O. Costo): 60pF. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 10A. Marcatura sulla cassa: KSC5027 (O). Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 20:25.

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Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del c...
BUL216
Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BUL216
Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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