BUL216

BUL216. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 4A. Ic(impulso): 6A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 9V. Funzione: commutazione rapida ad alta tensione, per alimentatori switching. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.