Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.37€ | 0.45€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.44€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.41€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.39€ |
100 - 125 | 0.29€ | 0.35€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 9 | 0.37€ | 0.45€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.44€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.41€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.39€ |
100 - 125 | 0.29€ | 0.35€ |
KSC2310-O. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 140. Guadagno hFE minimo: 70. Corrente del collettore: 0.05A. Marcatura sulla cassa: C2310 O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.
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