KSC2310-Y

KSC2310-Y. Costo): 3.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 120. Corrente del collettore: 0.05A. Marcatura sulla cassa: C2310 Y. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92L (9mm magas). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 10:25.