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KSD2012GTU

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 4	1.66€	2.03€
5 - 9	1.58€	1.93€
10 - 24	1.50€	1.83€
25 - 49	1.41€	1.72€
50 - 59	1.38€	1.68€

Qnéuantità	U.P
1 - 4	1.66€	2.03€
5 - 9	1.58€	1.93€
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Set da 1

KSD2012GTU. Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: D2012-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 09:25.

Documentazione tecnica

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Esaurito

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TIP31C

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2.90€ IVA incl.
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2SD2092

Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: Io-sab. Corrente...

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10.22€ IVA incl.
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FRN01WK0101A10

Resistenza: 100 Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: resistenza fusibile. Stabilità della temperat...

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0.1183€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 152

STP55NF06

C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET...

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1.51€ IVA incl.
(1.24€ Iva esclusa)

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