Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V - 2SD2012. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Marcatura sulla cassa: D2012. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 09:25.