Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2SD2012

2SD2012
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2SD2012. Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: D2012. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 05:25.

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KSD2012GTU

KSD2012GTU

Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE m...
KSD2012GTU
Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: D2012-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
KSD2012GTU
Costo): 35pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Corrente del collettore: 3A. Marcatura sulla cassa: D2012-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementare (coppia) KSB1366. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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