Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

KSC5027F-R

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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 3.71€ 4.53€
5 - 9 3.52€ 4.29€
10 - 24 3.34€ 4.07€
25 - 49 3.15€ 3.84€
50 - 99 3.08€ 3.76€
100 - 249 3.00€ 3.66€
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KSC5027F-R. Costo): 60pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 15 MHz. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 3A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 7V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 08:25.

Prodotti equivalenti :

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MJF18204

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Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 1...
MJF18204
Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
MJF18204
Resistenza BE: 50. Costo): 156pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 13 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE massimo: 35. Guadagno hFE minimo: 18. Corrente del collettore: 5A. Ic(impulso): 10A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.83V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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LED-SMD-R-0050

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Diametro/dimensioni: SMD 0603. Colore: rosso. Corrente continua massima: 20mA. Angolo di visione: 1...
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Quantità in magazzino : 3661
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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Alloggiamento: saldatura PC...
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LM340T5

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Ingresso: min 7.5V, max 35V. Tensione di caduta: 2V. Funzione: Z-IC. Tensione di uscita: 5V. Polarit...
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3.00€ IVA incl.
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Diametro/dimensioni: SMD 0805. Colore: rosso. Angolo di visione: 120°. Materiale: trasparente. (cd)...
LED-SMD-R-0220
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MOC3023M

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Diodo IF: 60mA. Potenza diodo: 0.1W. Tensione di soglia del diodo: 1.15V. Tensione di soglia del dio...
MOC3023M
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UC3844N

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
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