IXGR60N60C2

Qnéuantità	Iva esclusa	IVA incl.
1 - 1	13.06€	15.93€
2 - 2	12.41€	15.14€
3 - 4	11.75€	14.34€
5 - 9	11.10€	13.54€
10 - 14	10.84€	13.22€
15 - 19	10.58€	12.91€
20 - 48	10.19€	12.43€

Qnéuantità	U.P
1 - 1	13.06€	15.93€
2 - 2	12.41€	15.14€
3 - 4	11.75€	14.34€
5 - 9	11.10€	13.54€
10 - 14	10.84€	13.22€
15 - 19	10.58€	12.91€
20 - 48	10.19€	12.43€

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IXGR60N60C2. C(in): 3900pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35ns. Funzione: C2-Class High Speed IGBT. Corrente del collettore: 75A. Ic(impulso): 300A. Ic(T=100°C): 48A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 250W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 95 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.

Documentazione tecnica