IXTH96N20P

IXTH96N20P. C(in): 4800pF. Costo): 1020pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 160 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 225A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 96A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. Rds sulla resistenza attiva: 24m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.