IXTK90P20P

IXTK90P20P. C(in): 12pF. Costo): 2210pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 315 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: P-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 270A. ID (T=25°C): 90A. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 890W. Rds sulla resistenza attiva: 0.044 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 89 ns. Td(acceso): 32 ns. Tecnologia: PolarPTM Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.