IXFR180N15P

IXFR180N15P. C(in): 7000pF. Costo): 2250pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 200 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 380A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 1.5mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 13m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.