IXGH32N60BU1

IXGH32N60BU1. C(in): 2700pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 120ns. Funzione: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Diodo CE: sì. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.