IXFR200N10P

IXFR200N10P. C(in): 7600pF. Costo): 2900pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 133A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.009 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.