IXTA36N30P

IXTA36N30P. C(in): 2250pF. Costo): 370pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.092 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 97 ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: PolarHTTM Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263AB ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 05:25.