IXGR40N60B2D1

IXGR40N60B2D1. C(in): 2560pF. Costo): 210pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 25 ns. Funzione: C2-Class High Speed IGBT. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 33A. Ic(T=100°C): 200A. Nota: custodia isolata. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 167W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.