IXFR120N20P

IXFR120N20P. C(in): 9100pF. Costo): 2200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Superficie posteriore isolata elettricamente. Id(imp): 480A. ID (T=25°C): 105A. Idss (massimo): 2uA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 400W. Rds sulla resistenza attiva: 17m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: Polar HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Custodia (secondo scheda tecnica): ISOPLUS247 ( TO-247 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Nota: tensione di isolamento 2500V 50/60Hz, RMS, 1 minuto. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.