IXTQ88N30P

IXTQ88N30P. C(in): 6300pF. Costo): 950pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. Rds sulla resistenza attiva: 40m Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 96 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: PolarHT Power MOSFET. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 300V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 06:25.