Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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IXFX34N80

IXFX34N80
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IXFX34N80. C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: PLUS247. Custodia (secondo scheda tecnica): PLUS-247 (TO247 senza foro di fissaggio). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.

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C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain...
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C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
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C(in): 7500pF. Costo): 920pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 136A. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 45 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protezione GS: NINCS
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