Transistor a canale N IXFK34N80, 34A, 2mA, 0.24 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 34A. Idss (massimo): 2mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.24 Ohms. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 7500pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 920pF. Diodo Trr (min.): 250 ns. Funzione: -. ID (min): 100uA. Id(imp): 136A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 560W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: dv/dt 5V/ns. Td(acceso): 45 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 25. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: IXYS. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38