IXGH24N60CD1

IXGH24N60CD1. C(in): 1500pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 130 ns. Funzione: HiPerFAST IGBT with Diode. Corrente del collettore: 48A. Ic(impulso): 80A. Ic(T=100°C): 24A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AD ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.5V. Nota: transistor IGBT HiPerFAST. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 23:25.