Transistor

C(in): 1220pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 830pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 208 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 43W. Rds sulla resistenza attiva: 0.14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 135 ns. Td(acceso): 15 ns. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Tensione gate/source (spenta) min.: 2V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: transistor MOSFET a canale N (DMOS, QFET). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Rds sulla resistenza attiva: 0.042 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS

C(in): 543pF. Costo): 54pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 642 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 22.5 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 13nC, Crss basso 5,5pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 740pF. Costo): 65pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 450 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 47W. Rds sulla resistenza attiva: 3.5 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 40 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS

C(in): 480pF. Costo): 80pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 263 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 1.14 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 18nC, Crss basso 15pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 515pF. Costo): 55pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 33W. Rds sulla resistenza attiva: 2 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 46 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 15 nC, Crss basso 6,5 pF. Protezione GS: NINCS

C(in): 1290pF. Costo): 120pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 60 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 56W. Rds sulla resistenza attiva: 1.57 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Spec info: carica gate bassa (tipica 40nC), Crss basso 10pF. Protezione GS: NINCS

C(in): 3170pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 170 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 17nC, Crss basso 5,6pF. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-220. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQPF8N60C. Tensione drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4 v. Tempo di accensione ton [nsec.]: 45 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 170 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1255pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 81 ns. Td(acceso): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1

C(in): 1580pF. Costo): 135pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 690 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data di produzione: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 59W. Rds sulla resistenza attiva: 1.29 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 65 ns. Td(acceso): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Protezione GS: NINCS

C(in): 790pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 93 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 28nC, Crss basso 24pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: interruttore rapido, carica gate bassa 40nC, Crss basso 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protezione GS: NINCS

C(in): 130pF. Costo): 19pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 190 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Idss (massimo): 250uA. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: FQT1N60C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Rds sulla resistenza attiva: 9.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 13 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 4. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS

C(in): 240pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 3.4A. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.2W. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 7 ns. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 200V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Costo): 36pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 420pF. Costo): 195pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 83 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 45 ns. Td(acceso): 6.5 ns. Tecnologia: DMOS POWER-MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Protezione GS: NINCS

C(in): 480pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 54 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Rds sulla resistenza attiva: 0.046 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 35 ns. Td(acceso): 10 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 60V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Carica gate bassa (tipicamente 9,5 nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 1500pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): na. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Rds sulla resistenza attiva: 0.72 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Numero di terminali: 3. Funzione: Ifsm--30App. Quantità per scatola: 1

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 250V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità

Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 12A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 0.32 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 250V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità

C(in): 5300pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 100A. Ic(impulso): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Marcatura sulla cassa: FS75R12KE3G. Dimensioni: 122x62x17.5mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 355W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 42us. Td(acceso): 26us. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.65V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Funzione: ICRM 150A Tp=1ms. Numero di terminali: 35. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1380pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. ID (T=25°C): 7A. Idss (massimo): 1mA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 1.54 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 180 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì

C(in): 74pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 1790A. Ic(impulso): 2400A. Ic(T=100°C): 1200A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 7150W. RoHS: NINCS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.92 ns. Td(acceso): 0.41 ns. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Tensione di soglia Vf (max): 2.35V. Tensione diretta Vf (min): 1.8V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.8V. Numero di terminali: 7. Funzione: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-223. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FZT458. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 400V. Corrente collettore Ic [A], max.: 0.3A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Famiglia di componenti: transistor NPN ad alta tensione. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C