FQPF9N50CF

FQPF9N50CF. C(in): 790pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 44W. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 93 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: +55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 28nC, Crss basso 24pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 09:25.