Transistor

Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 17. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 180pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

RoHS: sì. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 619. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 50V. Corrente collettore Ic [A], max.: 2A. Frequenza di taglio ft [MHz]: 165 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.625W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor NPN

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 190 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 480. Guadagno hFE minimo: 60. Corrente del collettore: 1.5A. Ic(impulso): 4A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) FMMT619. Spec info: serigrafia/codice SMD 720

Tipo di canale: N-P. Funzione: Y4. Marcatura sulla cassa: Y4. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Custodia (secondo scheda tecnica): SMT5. Quantità per scatola: 2

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 80 MHz. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Numero di terminali: 3. Funzione: hFE 5000. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) FP1016. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 2A. Ic(impulso): 5A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Custodia (secondo scheda tecnica): SANYO--PCP4. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Numero di terminali: 7. Quantità per scatola: 1. Spec info: 2SB1121 e SB05-05CP integrati in una custodia

Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 65 MHz. Corrente del collettore: 8A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: PNP. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 160V. Numero di terminali: 3. Funzione: hFE 5000. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) FN1016. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 280. Guadagno hFE minimo: 100. Corrente del collettore: 3A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): PCP4. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 15V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Spec info: Transistor + diode block. Diodo CE: sì

C(in): 1.45pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 39A. Ic(impulso): 50A. Ic(T=100°C): 25A. Dimensioni: 56.7x48x12mm. Pd (dissipazione di potenza, massima): 175W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 0.46 ns. Td(acceso): 0.08 ns. Tecnologia: Modulo ibrido IGBT. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.25V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5.2V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.4V. Funzione: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Numero di terminali: 33dB. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2150pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 730 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA10N80C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240W. Rds sulla resistenza attiva: 0.93 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA11N90C. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA11N90C_F109. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA 11N90. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 140 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 340 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 1580pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 9.5A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 218W. Rds sulla resistenza attiva: 0.43 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 43 nC). Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQA13N80. Tensione drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 320 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3500pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 300W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 155 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 1

C(in): 2800pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 420 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 74A. ID (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 3500pF. Costo): 520pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 24A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. Rds sulla resistenza attiva: 0.156 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 80 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 500V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 4200pF. Costo): 550pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 470 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. ID (T=100°C): 14.9A. ID (T=25°C): 23.5A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 310W. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 600V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 90 nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 1250pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. ID (T=100°C): 23.3A. ID (T=25°C): 33A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 227W. Rds sulla resistenza attiva: 0.067 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 40 nC). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

C(in): 2550pF. Costo): 710pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 198 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 144A. ID (T=100°C): 25.5A. ID (T=25°C): 36A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 294W. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 155 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3P. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 150V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: carica gate bassa (tipica 81nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 4830pF. Costo): 945pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 340 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 62A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 298W. Rds sulla resistenza attiva: 0.029 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 245 ns. Td(acceso): 75 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 250V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 2500pF. Costo): 720pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 110 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 280A. ID (T=100°C): 49.5A. ID (T=25°C): 70A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. Rds sulla resistenza attiva: 0.019 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio Vds(max): 100V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: carica gate bassa (tipica 85 nC). Protezione GS: NINCS

C(in): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: FQA9N90C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 280W. Rds sulla resistenza attiva: 1.12 Ohms. RoHS: sì. Peso: 4.7g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 100 ns. Td(acceso): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-3PN ( 2-16C1B ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Commutazione rapida, carica gate bassa (tipico 44 nC). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: ITO-3P. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FQAF11N90C. Tensione drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 130 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 270 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 3290pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 120W. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Rds sulla resistenza attiva: 0.91 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 130 ns. Td(acceso): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 900V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Custodia (standard JEDEC): 30. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)