Transistor

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 301. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 301. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 8 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 9.5pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 303. Tensione drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 1V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 6 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 50pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.35W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

C(in): 63pF. Costo): 34pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 1.5A. ID (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. ID (T=25°C): 0.46A. Idss (massimo): 10uA. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 304. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Rds sulla resistenza attiva: 1.22 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 7 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 25V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.65V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Voltaggio del gate operativo fino a 2,5 V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS

Tipo di transistor: transistor IGBT. Tensione collettore-emettitore: 1200V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-3P

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-3PN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FGA40N65SMD. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 650V. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 16 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 120ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 6V. Dissipazione massima Ptot [W]: 174W. Corrente massima del collettore (A): 60.4k Ohms. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C

C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 47ms. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 104 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 940pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: FGB20N60SF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 12 ns. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2-PAK. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 2. Funzione: inverter solare, UPS, saldatrice, PFC. Nota: Transistor MOS IGBT a canale N. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2110pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Marcatura sulla cassa: FGH40N60SFD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 115 ns. Td(acceso): 25 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 1880pF. Costo): 180pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 70 ns. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 349W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 92 ns. Td(acceso): 12 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2110pF. Costo): 200pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 45 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 80A. Ic(impulso): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 40A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 290W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 112 ns. Td(acceso): 24 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2820pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SFD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 22 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2820pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 22 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS

C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SMD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 50 ns. Td(acceso): 18 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS

RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor IGBT con diodo di ricircolo ad alta velocità integrato. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-264. Custodia (standard JEDEC): tubo di plastica. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: FGL40N120AND. Tensione collettore-emettitore Uce [V]: 1.2 kV. Corrente collettore Ic [A]: 40A. Tempo di accensione ton [nsec.]: 15 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 110 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5.5V. Dissipazione massima Ptot [W]: 500W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 110 ns. Td(acceso): 20 ns. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264-3L. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.9V...3.15V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 7.5V. Corrente massima del collettore (A): 160A. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato . Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf (tipo): 0.2us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Quantità per scatola: 1. Funzione: commutazione ad alta velocità. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Display a colori High V Hor Defl (con diodo smorzatore) . Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Corrente del collettore: 10A. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: J6810D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato J6810. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì

Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 10. Corrente del collettore: 12A. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 60W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PF. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Nota: serigrafato J6812. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diodo CE: sì

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: HI-FI. Guadagno hFE massimo: 160. Guadagno hFE minimo: 80. Corrente del collettore: 17A. Marcatura sulla cassa: J4315O. Pd (dissipazione di potenza, massima): 150W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 250V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) FJL4215-O

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente del collettore: 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 750V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Monitor da 19 pollici. Spec info: VEBO 6V

Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Deflessione orizzontale del display a colori ad alta tensione" . Guadagno hFE massimo: 8.5. Guadagno hFE minimo: 5.5. Corrente del collettore: 20A. Ic(impulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 25

Materiale semiconduttore: silicio. FT: 250 MHz. Funzione: circuiti di commutazione. Guadagno hFE minimo: 30. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 60. Guadagno hFE minimo: 8:1. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 28. Guadagno hFE minimo: 15. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007-1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 4 MHz. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 39. Guadagno hFE minimo: 26. Corrente del collettore: 8A. Ic(impulso): 16A. Marcatura sulla cassa: J13007-2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.7us. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Vebo: 9V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS