Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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FGH60N60SFD

FGH60N60SFD
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2 - 2 11.54€ 14.08€
3 - 4 10.93€ 13.33€
5 - 9 10.33€ 12.60€
10 - 14 10.08€ 12.30€
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FGH60N60SFD. C(in): 2820pF. Costo): 350pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Diodo Trr (min.): 47 ns. Funzione: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marcatura sulla cassa: FGH60N60SFD. Pd (dissipazione di potenza, massima): 378W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 134 ns. Td(acceso): 22 ns. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.9V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 30. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 06:25.

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FGA60N65SMD
C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 47ms. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 104 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS
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C(in): 2915pF. Costo): 270pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 47ms. Corrente del collettore: 60.4k Ohms. Ic(impulso): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 600W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 104 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Alloggiamento: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PN. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.9V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Numero di terminali: 3. Funzione: inverter solare, UPS, stazione di saldatura, PFC, telecomunicazioni, ESS. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS
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