Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPA07N60C3

SPA07N60C3
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SPA07N60C3. C(in): 790pF. Costo): 260pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 400 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Capacità di corrente di picco elevata nominale dv/dt estrema . Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 07N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 32W. Rds sulla resistenza attiva: 0.54 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 60 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 650V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 20:25.

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SPA11N80C3
C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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