FQPF3N80C

FQPF3N80C. C(in): 543pF. Costo): 54pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 642 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 100uA. ID (min): 10uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 39W. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 22.5 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio Vds(max): 800V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 13nC, Crss basso 5,5pF. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.