Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Diodi Ponti raddrizzatori a diodi

KBL08

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10 - 24 0.59€ 0.72€
25 - 49 0.56€ 0.68€
50 - 99 0.53€ 0.65€
100 - 249 0.48€ 0.59€
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KBL08. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. VRRM: 800V. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

Prodotti equivalenti :

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KBL10

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Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore:...
KBL10
Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: RS407. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
KBL10
Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 4A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: RS407. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
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Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
KBP06
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Corrente diretta (AV): 35A. VRRM: 1000V. IFSM: 400A. RM (max): 1mA. RM (min): 10uA. Dimensioni: 28x2...
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V23072C1062A303
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