Do: 50pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 158A. RM (min): 5uA. Equivalenti: KBU607G, KBU610, GBU6M-E3/45, GBU607C2. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): 21.5x18.3x3.4mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 158A (50Hz 10ms), 175A (60Hz 8.3ms)