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KBL06

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KBL06. VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Trifase: 0. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL06, RS406, RS406G. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 23:25.

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KBL08

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VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutto...
KBL08
VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. Equivalenti: KBL408, RS408, RS408G, GBU406. Passo: 5.08mm. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 4A. Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: P...
KBL10
VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 4A. Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: RS407. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 4A. Do: 40pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: RS407. Dimensioni dei collegamenti: 5.08x5.08mm. Numero di terminali: 4. Dimensioni: 19x16x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutto...
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