FGB20N60SF

FGB20N60SF. C(in): 940pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: N. Corrente del collettore: 40A. Ic(impulso): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Marcatura sulla cassa: FGB20N60SF. Pd (dissipazione di potenza, massima): 208W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 90 ns. Td(acceso): 12 ns. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2-PAK. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4 v. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Numero di terminali: 2. Funzione: inverter solare, UPS, saldatrice, PFC. Nota: Transistor MOS IGBT a canale N. Diodo CE: NINCS. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 18/01/2025, 06:25.